|
Detail produk:
|
| Tegangan Sumber Pembuangan: | 600 V | Tegangan Sumber Gerbang: | ± 30V |
|---|---|---|---|
| Disipasi daya maksimum: | 33W | Tiriskan Arus Berdenyut: | 16A |
| Aplikasi: | Petir | Bentuk: | Kotak |
| Cahaya Tinggi: | n channel power mosfet,n channel mosfet high side switch,power mosfet motor controller |
||
Paket JY16M N Channel 600V TO220F-3
Mode Peningkatan Daya MOSFET untuk driver motor BLDC
GAMBARAN UMUM
JY16M menggunakan teknik pemrosesan parit terbaru untuk mencapai sel tinggi
kepadatan dan mengurangi on-resistance dengan peringkat longsoran berulang yang tinggi.Ini
fitur digabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan andal
digunakan dalam aplikasi peralihan daya dan berbagai macam aplikasi lainnya.
FITUR
● 600V / 4A, RDS (AKTIF) =2.6Ω@VGS= 10V
● Peralihan cepat dan pemulihan tubuh terbalik
● Paket yang sangat baik untuk pembuangan panas yang baik
APLIKASI
● Pencahayaan
● Catu daya mode sakelar efisiensi tinggi
Peringkat Maksimum Mutlak (Tc = 25ºC Kecuali Dinyatakan Lain)
| Simbol | Parameter | Peringkat | Satuan | |
| V.DS | Tegangan Sumber Pembuangan | 600 | V. | |
| V.GS | Tegangan Sumber Gerbang | ± 30 | V. | |
| sayaD | Tiriskan Berkelanjutan Arus |
Tc = 25ºC | 4 | SEBUAH |
| Tc = 100ºC | 2.9 | |||
| sayaDM | Tiriskan Arus Berdenyut | 16 | SEBUAH | |
| P.D | Pembuangan Daya Maksimum | 33 | W | |
| TJ TSTG | Persimpangan Operasi dan Suhu Penyimpanan Jarak |
-55 hingga +150 | ºC | |
| RθJC | Tahanan Termal-Persimpangan ke Kasus | 1.5 | ºC / W | |
| RθJA | Tahanan Termal-Persimpangan ke Ambien | 62 |
Karakteristik Listrik (Tc = 25ºC Kecuali Dinyatakan Lain)
| Simbol | Parameter | Kondisi | Min | Typ | Max | Satuan |
| Karakteristik Statis | ||||||
| BVDSS | Drain-Source Tegangan Kerusakan |
V.GS= 0V, sayaDS= 250uA | 600 | V. | ||
| sayaDSS | Tegangan Gerbang Nol Tiriskan Arus |
V.DS= 600V, V.GS= 0V | 1 | uA | ||
| sayaGSS | Kebocoran Badan Gerbang Arus |
V.GS=± 30V, V.DS= 0V | ± 100 | nA | ||
| V.GS (th) | Ambang Gerbang Tegangan |
V.DS= VGS, sayaDS= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V. |
| RDS (AKTIF) | Drain-Source Resistensi pada negara bagian |
V.GS= 10V, sayaDS= 4A | 2.6 | 2.8 | Ω |
Karakteristik Listrik (Tc = 25ºC Kecuali Dinyatakan Lain)
| Simbol | Parameter | Kondisi | Min | Typ | Max | Satuan |
| Karakteristik Dioda Sumber Pembuangan | ||||||
| V.SD | Diode Maju Tegangan |
V.GS= 0V, sayaSD= 2A | 1.5 | V. | ||
| Trr | Membalik Waktu Pemulihan | sayaSD= 4A di / dt = 100A / us |
260 | ns | ||
| Qrr | Balikkan Biaya Pemulihan | 1.5 | nC | |||
| Karakteristik Dinamis | ||||||
| RG | Resistensi Gerbang | V.GS= 0V, VDS= 0V, f = 1MHZ |
5 | Ω | ||
| Tmengenakan) | Nyalakan Waktu Tunda | V.DS= 300V, RG= 25Ω, sayaDS = 4A, VGS= 10V, |
15 | ns | ||
| Tr | Nyalakan Waktu Naik | 48 | ||||
| Td (mati) | Matikan Waktu Tunda | 28 | ||||
| Tf | Matikan Waktu Musim Gugur | 35 | ||||
| CISS | Kapasitansi masukan | V.GS =0V, V.DS= 25V, f = 1.0MHz |
528 | pF | ||
| COSS | Kapasitansi Output | 72 | ||||
| CRSS | Transfer Terbalik Kapasitansi |
9 | ||||
| Qg | Total Biaya Gerbang | V.DS= 480V, sayaD= 4A, V.GS= 10V |
16 | nC | ||
| Qgs | Biaya Gerbang-Sumber | 3.5 | ||||
| Qgd | Charge Gate-Drain | 7.1 |
UNDUH PANDUAN PENGGUNA JY16M
Kontak Person: Mr. Amigo Deng
Tel: +86-18994777701
Faks: 86-519-83606689
